Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLS3034TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYX-DR378H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 108nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 343A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 375W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 343A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 375W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.65mm
Automobilstandard = Nein