Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A, 7-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

160A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

7