Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH8325TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRF4GD-DRSPWX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7.2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 32nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 82A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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