Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH8325TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRF4GC-DRSPWW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7.2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 32nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 82A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 82A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.02mm
Automobilstandard = Nein

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 4000Mengenintervall: 4000

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