Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

37mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.8nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C