Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.2 A 1.7 W, 6-Pin Micro6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

200mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.4nC

Gehäusegröße

Micro6

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C