Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 24 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 44nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 24A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 24A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043379692
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