Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

34nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

155°C