Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLR8743TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRLJMH-DRYJ2J

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 39nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 160A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 135W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 160A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 135W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 2.39mm
Automobilstandard = Nein