Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 39nC
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse.Besonders niedrige Gate-Impedanz Sehr niedriger RDS(on) Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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