Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLML2803TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRHCHV-DRXK78

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 250mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 3.3nC
Gehäusegröße: SOT-23
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 1.2A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 540mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 250mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 540mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.02mm
Automobilstandard = AEC-Q101