Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 3.9nC
- Gehäusegröße
- TSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 600mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 600mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = TSOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.2Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.9mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043003498
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