Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5 A 43 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 600mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 43W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 600mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 43W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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