Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 34 A 3.6 W, 8-Pin SuperSO
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 55mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 34nC
- Gehäusegröße
- SuperSO
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 34A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 3.6W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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