Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 57 W, 7-Pin DirectFET

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 200 V in einem DirectFET MZ-Gehäuse, das für 19 Ampere ausgelegt ist und einen niedrigen Einschaltwiderstand aufweist. Dieser digitale Audio-MOSFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückgewinnung und interner Gate-Widerstand optimiert, um die wichtigsten Leistungsfaktoren des Klasse-D-Audioverstärkers wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Das IRF6785MPbF-Gerät nutzt die DirectFETTM-Verpackungstechnologie. Die DirectFETTM-Verpackungstechnologie bietet eine geringere parasitäre Induktivität und einen geringeren Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen, drahtgebundenen SOIC-Gehäusen.Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie Wichtige Parameter optimiert für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen Zweiseitige Kühlung kompatibel Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)