Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 150 A 89 W, 2-Pin DirectFET

Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler