Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

250mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.6nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C