Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.6 A 2.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

185mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C