Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 45 W, 7-Pin DirectFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

56mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

21nC

Gehäusegröße

DirectFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18A

Maximale Betriebstemperatur

175°C