Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF135S203

Produkt-Nr.: P-DRFGX2-DR377L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 135V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 8.4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 180nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 129A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 441W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 129A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 135V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 441W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.65mm
Automobilstandard = Nein