Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF8010STRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGX6-DR377R

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 15mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 81nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 260W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 80A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 15mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 260W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 4.83mm
Automobilstandard = Nein