Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

26mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

61nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C