Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFS4510TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYP-DR3778

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 13.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 58nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 61A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 140W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 61A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.3V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein