Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 36mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 110nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 42A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 160W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 42A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 36mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 110nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 14.173Zoll
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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