Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 91 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 28.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 39nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 91W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 35A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 28.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.3V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.22mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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