Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

44mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

71nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

33A

Maximale Betriebstemperatur

175°C