Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 31Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 56nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 31A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 110W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern verwendet.RoHS-kompatibel Betriebstemperatur von 175 °C Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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