Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH5210TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYF-DR377Y

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 14.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 40nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 10A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 104W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 10A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = PQFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 14.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 104W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.9mm
Automobilstandard = Nein

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Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 5Mengenintervall: 5

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