Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 62 A 120 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

75V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

89nC

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

4.83mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

62A

Länge

10.67mm