Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 40nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 62A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 91W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon AUIRFR48ZTRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen eingesetzt.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Sehr niedriger Einschaltwiderstand Betriebstemperatur von 175 °C Fast Switching Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten