Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 77 A 90 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 45nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 6.22mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 77A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 90W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 77A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 45nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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