Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRF1404STRL

Produkt-Nr.: P-DRH7C6-DRVM3J

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 160nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 162A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 200W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 162A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 160nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 4.83mm
Automobilstandard = AEC-Q101