Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 100 A 3.6 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 100 A 3.6 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH5300TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFJML-DRZHLC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 50nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Die Infineon IRFH5300 ist eine leistungsstarke Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung

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