Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 2-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 2-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFS4610TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFJMX-DRZHLN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 14mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 140nC
Gehäusegröße: TO-263
Höhe: 9.65mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 73A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 190W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 2
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 73A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 2
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 14mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 140nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein