Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 12.5 A 11.5 W, 6-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

42mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

2.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12.5A

Länge

2.1mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C