Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

75V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

56nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

80A

Maximale Betriebstemperatur

175°C