Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFS3207ZTRRPBF

Produkt-Nr.: P-DRF4GP-DRSPW8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 75V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4.1mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 170nC
Gehäusegröße: TO-263
Höhe: 9.65mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 170A
Länge: 10.67mm
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 300W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit Bleifrei RoHS-konform, halogenfrei

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