Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 75V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 270nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 170A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung.Es ist bleifrei Er kann wellengelötet werden
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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