Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 75V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.5mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 260nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 170A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.Verbesserte TorAvalanche und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit Bleifrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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