Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 75V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.8mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 110nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 128A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 230W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 128A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 75V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.8mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 110nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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