Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

1.17mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

85A

Länge

5mm