Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

14.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

21nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C