Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

86nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A

Maximale Betriebstemperatur

175°C