Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRL3705NSTRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRF4GW-DRSPXG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 10mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 98nC
Gehäusegröße: TO-263
Höhe: 17.79mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 89A
Länge: 10.67mm
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 170W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 89A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 10mΩ
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein

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