Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.014Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

81nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

64A

Maximale Betriebstemperatur

175°C