Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

60nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

6.22mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

62A

Länge

6.73mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C