Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 61 A 120 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

61nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

61A

Maximale Betriebstemperatur

175°C