Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.6mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 46nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 51A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 82W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten