Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 27 A 68 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 45mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.045V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 34nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 6.22mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 27A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 68W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der 55-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.Sehr niedriger Einschaltwiderstand Fast Switching Ohne Leitung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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