Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 17 A TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-40-533

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.075Ω

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Produkt Typ

MOSFET